MRF559
Транзистор
![](/joom/images/stories/virtuemart/product/mrf559.jpg)
Описание
Transistor, NPN silicon, F= 870 MHz, Gn= 8 dB, PAE= 50 %, OP1dB> 20 dBm, OP= 0.5 W , Pdiss= 2 W, plastic SM pkg 4L Macro-X
Техническое описание
![mrf559](/joom/images/storage/products/pdf/pdf-ico.gif)
![]() |
+7 495 020 40 00 / 957 77 45
+7 495 361 09 04 / 020 10 64 sales@radiocomp.ru |
|||||||||||||||||||||||||
Обзорная информация Линейка продукции Информационное письмо Карта сайта: HTML XML
|
MRF559
Транзистор
![]()
Описание
Transistor, NPN silicon, F= 870 MHz, Gn= 8 dB, PAE= 50 %, OP1dB> 20 dBm, OP= 0.5 W , Pdiss= 2 W, plastic SM pkg 4L Macro-X
![]() |
|||||||||||||||||||||||||
|
|